FZ1200R17KF6CB2NOSA1
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Infineon Technologies FZ1200R17KF6CB2NOSA1
| Artikelnummer: | FZ1200R17KF6CB2NOSA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT MODULE 1700V 1200A |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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Infineon Technologies FZ1200R17KF6CB2NOSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FZ1200R17KF6CB2NOSA1.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1700 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 1.2kA Supplier Device-Gehäuse - Serie IHM-B Leistung - max 9600 W Verpackung / Gehäuse Module Paket Tray Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) NTC-Thermistor No Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Chassis Mount Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 79 nF @ 25 V Eingang Standard IGBT-Typ - Strom - Collector Cutoff (Max) 5 mA Strom - Kollektor (Ic) (max) 1200 A Konfiguration Single Switch FZ1200R17KF6CB2NOSA1 Einzelheiten PDF [English] FZ1200R17KF6CB2NOSA1 PDF - EN.pdf -
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